DDR6, inizia lo sviluppo: primi chip sul mercato verso il 2028 o 2029

Nel bel mezzo (o forse nel “mezzo” non ci siamo ancora neanche arrivati?) di una crisi senza precedenti dei chip di memoria, i “big 3” della produzione di DRAM, ovvero Samsung, SK Hynix e Micron, stanno cominciando a lavorare allo sviluppo della prossima generazione di memoria (anche) per il settore consumer: la DDR6. Stando a quanto riporta la sempre ben informata testata sudcoreana The Elec, i tre colossi si stanno interfacciando con i produttori di substrati per definire le basi produttive del nuovo standard. Dopo aver condiviso i primi design, sono partite le attività su prototipi iniziali.

Siamo ancora nelle primissime fasi dello sviluppo, ma qualche linea guida è già emersa: le parti si stanno concentrando soprattutto su aspetti critici come spessore dei moduli, struttura degli stack e layout delle connessioni. Vale la pena osservare che il JEDEC, la divisione della EIA (Electronic Industries Alliance) che si occupa di definire gli standard di semiconduttori discreti e integrati, ha già rilasciato le specifiche preliminari della DDR6 nel 2024, ma non sono ancora nemmeno state finalizzate e ufficializzate. È un modus operandi standard, ma serve a far capire che c'è ancora molto da attendere.

Le aspettative sono comunque molto elevate. La DDR6 dovrebbe partire da velocità di 8.800 MT/s fino ad arrivare a 17.600 MT/s, raddoppiando il limite ufficiale della DDR5. Le versioni overclocked potrebbero spingersi oltre, fino a circa 21.000 MT/s. Tra le novità più rilevanti c’è l’architettura multi-canale con quattro sub-canali da 24 bit, che promette miglioramenti nelle operazioni di trasferimento dati parallele, throughput e gestione della banda. Significa anche che i design dei chip e delle relative infrastrutture di comunicazione saranno molto più complesse ed elaborate.

CLICCA QUI PER CONTINUARE A LEGGERE