Exynos 2700 potrebbe finalmente superare il muro dei 4 GHz

23 Luglio 2026 - 16:50

Il prossimo chip top di gamma Samsung potrebbe essere il primo a sfondare la barriera dei 4 GHz: lo sostiene un leaker generalmente molto esperto degli aspetti più tecnici del mondo smartphone e dintorni. In effetti l’Exynos 2700 potrebbe arrivare addirittura a 4,2 GHz, il che lo porterebbe un po’ più vicino ai grandi leader del settore, che però sono ancora diversi passi avanti. Facciamo un rapido recap per riferimento:

Exynos 2600 (Samsung 2 nm): 3,8 GHz
Snapdragon 8 Elite Gen 5 (TSMC 3 nm): 4,61 GHz
Dimensity 9500 (TSMC 3 nm): 4,21 GHz
Futuro Exynos 2700 (Samsung 2 nm): 4,20 GHz (rumor non confermato)
Futuro Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro (TSMC 2 nm): “a partire da” 5 GHz (rumor non confermato)
Futuro Dimensity 9600 (TSMC 2 nm): “vicino a” 5 GHz (rumor non confermato)

System LSI is targeting up to 4.2GHz on the prime core of the Exynos 2700. That target would likely depend on Samsung's SF2P yields maturing beyond ~65-70% during H2. Take into consideration Exynos 2609 target was 60%.
— Schrödinger (@phonefuturist) July 21, 2026

Il leaker dice però che la frequenza operativa sarà subordinata al tasso di rendimento del nodo produttivo, ovvero SF2P (classe 2 nm) delle fonderire di Samsung stessa. Dovrà essere di almeno il 65% o il 70%. Ricordiamo che con rendimento nelle fonderie si indica la percentuale di chip funzionanti ottenuti da ogni wafer. Difetti e imperfezioni possono infatti costringere alcuni processori a operare a frequenze inferiori per garantire stabilità e consumi controllati. Migliorare il rendimento significa quindi poter produrre un numero maggiore di chip capaci di raggiungere le massime prestazioni previste dal progetto.

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