Kioxia è pronta a produrre i chip NAND next-gen per datacenter AI

Kioxia e Sandisk hanno annunciato negli scorsi giorni di aver avviato la fase cosiddetta di sampling (i campioni, appunto sample, vengono spediti ai principali clienti per test approfonditi e feedback) della loro nuova memoria flash 3D NAND a ben 332 strati, destinata soprattutto al mercato dei data center e supercomputer AI. Sappiamo benissimo ormai che il settore è estremamente assetato di chip veloci, efficienti e capienti, e prima questi arriveranno sul mercato meglio sarà per tutti.

La nuova NAND è stata battezzata BiCS10, essendo appunto di decima generazione, e raggiunge valori di densità decisamente impressionanti: in appena un millimetro quadrato di chip si riescono a immagazzinare qualcosa come 29 Gb (Gigabit: equivalenti a circa 3,6 GB, Gigabyte). Le società dicono che il chip sarà montato su SSD di classe enterprise con interfaccia PCIe 5.0 e 6.0; le velocità di trasferimento toccheranno addirittura i 4.800 MT/s. Al tempo stesso, nelle operazioni di lettura la latenza scenderà di circa il 10% e i consumi addirittura del 25%. Le memorie Samsung di decima generazione hanno più strati e sono più veloci, fino a 5.600 MT/s, ma non raggiungono questa densità.

Il risultato è stato ottenuto grazie a un nuovo sistema di gestione delle word line, i collegamenti interni utilizzati per accedere alle celle di memoria. Invece di scaricare completamente la tensione dopo ogni operazione di lettura, la nuova architettura mantiene le linee a un livello intermedio, consentendo di ripristinare più rapidamente il valore necessario per le operazioni successive. Come è facile intuire, questa tecnica riduce latenza e consumi soprattutto nei carichi di lavoro caratterizzati da letture continue e sequenziali, tipici degli ambienti cloud.

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