Samsung, primi sample di memorie HBM4E inviate ai partner

Samsung ha spedito i primi sample di RAM HBM4E a 12 strati ai suoi principali clienti: il colosso sudcoreano, uno dei più grandi produttori di memorie DRAM al mondo, l’ha annunciato nelle scorse ore. Le memorie HBM (High Bandwidth Memory) sono molto più prestanti delle classiche DDR (Double Data Rate), ma per ora rimangono appannaggio del solo mercato enterprise - in altre parole, si trovano solo in server, datacenter e soprattutto supercomputer AI.

Per noi normali consumatori, in sostanza, l’interesse diretto è relativamente basso, ma visto il periodo di grave crisi dei chip di memoria dovuto proprio alla corsa all’intelligenza artificiale, ogni notizia di progresso in questo settore ci avvicina un pochino (almeno, si spera!) al ritorno alla normalità. Ma è meglio non farsi troppe illusioni, la strada è ancora lunga. In ogni caso, l’annuncio arriva pochi mesi dopo l’avvio della produzione di massa delle memorie HBM4 - anche lì Samsung era arrivata per prima.

La nuova HBM4E offre una velocità stabile di 14 Gbps per pin, con possibilità di salire fino a 16 Gbps. È un incremento di oltre il 20% rispetto alle HBM4 precedenti. La banda passante raggiunge fino a 3,6 TB/s per stack; il modello annunciato oggi è basato su una struttura a 12 strati con capacità di 48 GB, oltre il 30% in più rispetto alla generazione precedente. Samsung prevede inoltre varianti da 32 GB a 8 strati e versioni future da 64 GB a 16 layer, adattandosi alle diverse esigenze dei clienti enterprise.

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