Samsung accelera sulle memorie flash: primo prototipo di V-NAND da 900 strati

A quanto pare Samsung ha raggiunto un nuovo record nel settore delle memorie flash sviluppando il primo prototipo al mondo di chip V-NAND a ben 900 strati. In questi tempi difficili di corsa all’intelligenza artificiale, molti occhi sono puntati sulle memorie, sia di storage sia DRAM, perché ogni innovazione può rappresentare un tassello fondamentale verso la risoluzione della crisi dei chip. In un primo momento l’AI aveva messo in crisi la produzione di schede grafiche e più in generale chip logici, ma le pressioni più concrete e durature sono arrivate per le memorie sia DRAM sia NAND, fondamentali per server AI, data center e infrastrutture cloud.

Stando a quanto riporta la stampa coreana, il nuovo prototipo sfrutta una tecnologia chiamata Cell Multi-Bonding, o CMB, che permette di combinare due wafer NAND da 450 strati in un’unica struttura. In questo modo si riesce ad aumentare drasticamente la densità di archiviazione, incrementando al tempo stesso l’efficienza energetica e ottimizzando gli ingombri. Più strati significano infatti maggiore capacità di archiviazione nello stesso spazio fisico, con benefici diretti anche per velocità ed efficienza energetica. Per questo motivo i chip NAND di nuova generazione stanno diventando sempre più importanti nell’era AI.

In effetti in questo segmento il numero di strati è uno dei principali parametri per valutare il grado di raffinatezza e avanzamento tecnologico di un produttore. In questo senso SK Hynix è l’attuale punto di riferimento, grazie ai suoi chip da 321 strati già pronti per il mercato. Samsung, però, starebbe portando avanti una doppia strategia: da una parte la preparazione della produzione di massa della decima generazione di NAND da oltre 400 strati, dall’altra la ricerca su tecnologie molto più avanzate, come appunto quella da 900.

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