Samsung, grande progresso nell'efficienza delle memorie di archiviazione

Redazione

Dicembre 3, 2025 - 21:32

La corsa all’intelligenza artificiale non si regge solo su processori e GPU o NPU: le memorie sono un componente altrettanto cruciale, sia volatili sia di archiviazione, perché gli algoritmi AI sono estremamente affamati di quantità ingenti di dati, e ne hanno bisogno con rapidità estrema. Il settore delle memorie di archiviazione spinge verso chip NAND sempre più stratificati, anche con centinaia di layer, ma un limite strutturale resta irrisolto: più livelli si impilano, più potenza serve per leggere e scrivere i dati. Nelle scorse ore, Samsung ha dichiarato di aver trovato la chiave per spezzare questa relazione.

In uno studio pubblicato su Nature, 34 ricercatori del Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) e del Semiconductor R&D Center presentano un’architettura che riduce fino al 96% il consumo energetico nelle operazioni a livello di stringa, integrando materiali ferroelettrici con semiconduttori ossidi. Una soluzione che, se commercializzata, potrebbe cambiare il paradigma del NAND nella nuova era dell’AI.

La proposta ribalta un limite storico dei semiconduttori ossidi, ovvero la scarsa modulabilità della soglia di attivazione del transistor, trasformandolo in un vantaggio quando inserito in una struttura NAND ferroelettrica. L’approccio non solo consente risparmi energetici drastici durante i passaggi di segnale tra celle collegate in serie, ma supporta anche densità elevate fino a 5 bit per cella.

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