Nuovo transistor magnetico MIT: più veloce, più piccolo e con memoria

Redazione

Settembre 28, 2025 - 13:00

Nuovo transistor magnetico MIT: più veloce, più piccolo e con memoria

Ciò che sappiamo dei transistor potrebbe presto cambiare volto grazie a un’innovazione firmata MIT. Un gruppo di ingegneri ha infatti realizzato un transistor magnetico capace di commutare la corrente dieci volte più fortemente rispetto ai dispositivi attuali, consumando meno energia e aggiungendo un aspetto inedito: la possibilità di memorizzare informazioni direttamente al suo interno.

I transistor tradizionali, costruiti in silicio, hanno garantito per decenni i progressi della microelettronica. Tuttavia, il silicio ha un limite intrinseco: non può funzionare al di sotto di una certa soglia di tensione, un ostacolo che frena l’ulteriore miglioramento in termini di efficienza. Per superarlo, i ricercatori hanno guardato alla spintronica, un settore che sfrutta non solo la carica degli elettroni, come fa l’elettronica classica, ma anche il loro spin, ossia la proprietà magnetica intrinseca.

Il materiale chiave scelto dal MIT è il bromuro di zolfo e cromo, un semiconduttore bidimensionale che possiede proprietà magnetiche stabili anche all’aria, a differenza di molte altre sostanze 2D. Questo materiale consente di passare con precisione tra due stati magnetici differenti, modificando di conseguenza il comportamento elettronico e permettendo un funzionamento a bassa energia. Una sfida non banale, come ha raccontato il dottorando Chung-Tao Chou, coautore dello studio: «Abbiamo provato molti altri materiali che non hanno funzionato, ma questo ci ha dato finalmente i risultati sperati».

Autonomia ottima e sblocco 3D? Honor Magic 7 Pro, compralo al miglior prezzo da Smarterstore.it a 709 euro.